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电子元器件详细资料 » IC[27948] » SQJ850EP-T1-GE3
型号:SQJ850EP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C24A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C23 毫欧 @ 10.3A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1225pF @ 30V
功率_最大45W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市集创讯科技有限公司吴小姐0755-83244680/82865294
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
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SQJ850EP-T1-GE3相关型号

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